6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19060NR1 MRF6S19060NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
12
19
1
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
10
18
16
14
60
50
40
30
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17
15
13
VDD
=28Vdc
IDQ
= 610 mA
f = 1960 MHz
ηD
Gps
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
1 10010
-- 6 0
-- 1 0
0.1
7th Order
TWO--TONE SPACING (MHz)
VDD
=28Vdc,Pout
= 60 W (PEP), IDQ
= 610 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
5th Order
3rd Order
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
Figure 8. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. 2--Carrier N--CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0
-- 7 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
60
VDD=28Vdc,IDQ
= 610 mA
C
-- 1 0
C
-- 3 0
40
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
30
-- 4 0
10
10 100
-- 5 0
37
53
P3dB = 49.503 dBm (89.19 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 610 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 1960 MHz
49
45
41
39
25 3127
29 3533
Actual
Ideal
51
47
43
23
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
IM3
Gps
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
=24V
100
12
17
0
14
13
20
15
16
IDQ
= 610 mA
f = 1960 MHz
50
2--Carrier N--CDMA, 2.5 MHz Carrier
-- 6 0
ηD
ACPR
28 V
32 V
1
C
-- 2 0
40 60 80
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
Spacing, 1.2288 MHz Channel Bandwidth
10
20
P1dB = 48.792 dBm (75.72 W)
20
TC
=--30_C
85_C
25_C
-- 3 0_C
C
25_
85_
-- 3 0_C
25_C
-- 3 0_C
85_
25_
TC
=--30_C
85_C
25_C
85_C
-- 3 0_C
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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